新闻资讯

日新月异,跬步千里
首页 新闻资讯
新闻资讯
固态硬盘主控芯片采用纳能PHY IP完成测试并进入量产
2018年6月,成都纳能微电子与国内某知名存储产品制造商,合作完成了第一款国内自主研发的USB3.1 typeC + PCIE Gen3的固态硬盘主控芯片的开发。
2018-06-12
Cadence亚太区高管一行来访
2017年12月22日,铿腾电子科技有限公司(Cadence)亚太区总裁石丰瑜先生等一行莅临成都纳能微电子进行访问
2017-12-22
GVI PHY IP核完成量产,助力国产智能电视主控芯片
2017年6月,成都纳能为国内某知名芯片设计公司在SMIC40nm工艺完成GVI PHY IP核开发并完成量产
2017-06-12
日本三重富士通市场总监一行访问成都纳能微电子
2017年4月22日,日本三重富士通市场总监外山弘毅及同事一行访问成都纳能微电子
2017-04-22
USB3.1 Gen2 PHY IP通过一致性测试
​2017年3月,成都纳能微电子与台湾一家上市公司合作,在55nmGP工艺完成了USB3.1 type-C PHY IP 开发与生产
2017-03-12
成都纳能微电子在天府(四川)联合股权交易中心完成双创企业挂牌
2017年2月,成都纳能微电子在天府(四川)联合股权交易中心完成双创企业挂牌。
2017-02-12
完成JESD204B PHY IP验证
完成JESD204B PHY IP验证
2016-10-12