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​2017年3月,成都纳能微电子与台湾一家上市公司合作,在55nmGP工艺完成了USB3.1 type-C PHY IP 开发与生产
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USB3.1 Gen2 PHY IP通过一致性测试

1442    2017-03-12 17:23:48   

2017年3月,成都纳能微电子与台湾一家上市公司合作,在55nmGP工艺完成了USB3.1 type-C PHY IP 开发与生产,该IP支持USB type-C 正反可插,最高数据率为10Gbps, 并可向下兼容USB3.0 5Gbps 模式。目前该IP已经通过USB3.1 Gen2 一致性测试,完全符合USB 3.1 电气特性指标。