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2018年6月,成都纳能微电子与国内某知名存储产品制造商,合作完成了第一款国内自主研发的USB3.1 typeC + PCIE Gen3的固态硬盘主控芯片的开发。
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固态硬盘主控芯片采用纳能PHY IP完成测试并进入量产

1461    2018-06-12 17:09:02   

2018年6月,成都纳能微电子与国内某知名存储产品制造商,合作完成了第一款国内自主研发的USB3.1 typeC + PCIE Gen3的固态硬盘主控芯片的开发。成都纳能为客户提供了该芯片的全套IP解决方案,包括USB3.1/3.0 typeC  PHY, USB2.0 PHY , PCIE Gen3 PHY, SATA Gen3 PHY, 5V-1.2V DC-DC,3.3V-1.2V LDO,及300MHz 低温漂RC OSC等IP,目前该芯片已经通过ESD测试,可靠性测试及burn-in测试,并在市面90余种主流主板,硬盘,外设等设备完成兼容性测试。目前,该产品已经进入量产。