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灿芯半导体与成都纳能、PLDA合作推出PCIe2.0/3.0完整解决方案

中国,上海——2018年12月11日——国际领先的定制化芯片(ASIC)设计方案提供商及DDR控制器和物理层IP供应商——灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)对外宣布与成都纳能、PLDA合作,推出基于中芯国际40nm和55nm工艺技术的PCIe2.0/3.0完整解决方案。

 

“纳能与灿芯半导体合作,提供基于中芯国际40nm和55nm的PCIe2.0/3.0解决方案,满足最新的PIPE规范,支持2.5G、5G数据率,功耗低、面积小,可以有效降低SoC设计风险和成本,”成都纳能首席执行官武国胜说,“我们期待着与灿芯半导体携手,为客户提供符合相关标准的、高性能、低成本的整体解决方案。”

 

“PLDA 的PCIe Controller可以与任何标准的PCIe PHY匹配,这样使客户对于PHY的选择提供了很大的灵活性,”PLDA首席执行官Arnaud Schleich说,“此次与灿芯半导体进一步加深合作,提供高性能、低功耗的PCIe技术,降低SoC集成风险,将为客户提供高速数据传输需求的完整解决方案。”

 

灿芯半导体首席执行官庄志青博士表示:“灿芯半导体此次与成都纳能、PLDA合作,提供基于中芯国际40nm和55nm工艺的PCIe解决方案,提升高速数据传输SoC芯片的设计能力,为通信、云计算和车用SoC芯片设计降低风险,缩短上市时间。”

 

关于灿芯半导体

灿芯半导体(上海)有限公司,是一家国际领先的定制化芯片(ASIC)设计方案提供商以及DDR控制器/PHY 供应商,定位于55nm/40nm/28nm以下的高端系统级芯片(SoC)设计服务与一站式交钥匙(Turn-Key) 服务。灿芯半导体为客户提供从源代码网表到芯片成品的一站式服务,并致力于为客户的复杂ASIC设计提供一个低成本、低风险的整体解决方案。

灿芯半导体由海内外的风险投资公司于2008年投资成立,2010年和中芯国际集成电路制造有限公司结盟成战略伙伴。公司总部位于中国上海,下设北京灿芯创智和合肥灿芯科技两家子公司,同时还在美国、欧洲、日本和台湾地区等地设立行销办事处,提供客户服务。

详细信息请参考灿芯半导体网站www.britesemi.com

 

关于PLDA

PLDA公司成立于1996年, 总部位于法国,在美国加州设有销售和技术支持。PLDA专注于在ASIC、SoC和FPGA领域提供高速互连协议和全面支持PCI Express标准的IP解决方案,目前在全球已经有6400多个IP授权。公司始终专注于PCIe领域,客户可以在第一时间获得针对PCIe技术疑问的最专业的支持。

更多信息,请访问官网www.plda.com

 

关于成都纳能

成都纳能微电子有限公司位于四川省成都市高新区软件园, 是一家由海归牵头的高科技集成电路设计公司,专注于集成电路IP核的自主知识产权研发和持续创新,拥有PCIE,USB3.1/USB3.0/USB2.0,JESD204B,V-By-One及下一代高速串行数据传输IP核等多项核心技术。

纳能技术研发团队拥有平均十年的工业界芯片设计与量产经验, 与国际主流代工厂长期保持良好的合作关系,目前在0.13um至28nm工艺节点为大量国内外客户完成了十余类集成电路IP核的设计开发与流片验证,其中包括多家国内外知名企业。

更多信息,请访问官网www.nanengmicro.com

灿芯半导体与成都纳能、芯启源合作推出完整的USB3.0 IP解决方案

中国,上海——2018年11月30日——国际领先的定制化芯片(ASIC)设计方案提供商及DDR控制器和物理层IP供应商——灿芯半导体(上海)有限公司(以下简称“灿芯半导体”)对外宣布与成都纳能、芯启源电子科技有限公司(以下简称“芯启源”)共同合作,集成USB3.0物理层设计(PHY)与控制器 (Controller)并应用于中芯国际40nm和55nm的工艺技术,推出完整的USB3.0 IP解决方案。

 

成都纳能首席执行官武国胜表示:“纳能与灿芯半导体合作,提供基于中芯国际40nm和55nm的USB3.0 PHY,支持多通道应用并完全兼容PIPE3接口协议,可以有效降低SoC的设计风险和成本。我们期待与灿芯半导体展开全面深入的合作,为客户提供高速接口技术的整体解决方案。”

 

芯启源的首席执行官卢笙表示:“芯启源USB控制器基于下一代的全新架构,可以支持低功耗、高效内存和可配置的设计。芯启源和灿芯半导体共同合作将业界领先的USB IP应用于中芯国际的产业链生态系统,为SoC设计提供高度优化并经过USB-IF认证的IP解决方案。”

 

“我们很高兴与成都纳能、芯启源合作,为我们的ASIC产品提供完整的USB3.0 IP解决方案,”灿芯半导体首席执行官庄志青博士说,“此方案可以应用于中芯国际40nm和55nm成熟工艺的SoC设计,帮助我们的客户克服技术上的挑战、降低成本、加快产品研发进度和缩短上市时间。”

 

 

关于灿芯半导体

灿芯半导体(上海)有限公司,是一家国际领先的定制化芯片(ASIC)设计方案提供商以及DDR控制器/ PHY 供应商,定位于55nm/40nm/28nm以下的高端系统级芯片(SoC)设计服务与一站式交钥匙(Turn-Key) 服务。灿芯半导体为客户提供从源代码网表到芯片成品的一站式服务,并致力于为客户的复杂ASIC设计提供一个低成本、低风险的整体解决方案。

灿芯半导体由海内外的风险投资公司于2008年投资成立,2010年和中芯国际集成电路制造有限公司结盟成战略伙伴。公司总部位于中国上海,下设北京灿芯创智和合肥灿芯科技两家子公司,同时还在美国、欧洲、日本和台湾地区等地设立行销办事处,提供客户服务。

 

关于芯启源

芯启源是一家Fabless的半导体和IP公司,提供高速接口的知识产权(IP)解决方案,以及面向云、汽车和智慧城市的连接、存储和机器学习等方面应用的半导体产品。芯启源拥有来自顶尖半导体公司的资深IP专家,他们采用创新的理念和架构为新兴应用提供先进的产品,从而可以降低功耗、面积和内存使用率,并确保性能和可配置性的最大化。

 

关于成都纳能

成都纳能微电子有限公司位于四川省成都市高新区软件园,是一家由海归牵头的高科技集成电路设计企业,专注于集成电路IP核的自主知识产权研发和持续创新,拥有PCIE,USB3.1/USB3.0/USB2.0,JESD204B,V-By-One及下一代高速串行数据传输IP核等多项核心技术。

纳能技术研发团队拥有平均十年的工业界芯片设计与量产经验,与国际主流代工厂保持长期良好合作关系,目前在0.13um至28nm工艺节点,已经为大量国内外客户完成了十余类集成电路IP核的设计开发与流片验证,客户包括多家国内外知名企业。

 

详细信息请参考官网:

灿芯半导体网站:www.britesemi.com

成都纳能网站:www.nanengmicro.com

芯启源网站:www.corigine.com

纳能微电子被认定为四川省高新技术企业

2018年10月,根据国家《高新技术企业认定管理办法》和《高新技术企业认定管理工作指引》的相关规定,经专家评议及上级部门审核,成都纳能微电子被认定为四川省高新技术企业。

纳能微电子自公司成立以来,基于公司核心技术坚持自主创新研发。在自主知识产权、研究开发的组织管理水平、科技成果转化能力、成长性指标等多个环节都属于行业内较为领先的水平。

此次公司通过四川省高新技术企业认定,是业界及主管部门对我司技术、管理、服务水平与创新实力的充分肯定,是对公司全体员工多年辛勤付出、技术成果的最佳回报。

作为高新技术企业,公司在技术创新,管理创新、服务创新方面进一步作出努力,依靠企业核心技术,进一步提升企业市场竞争力。

固态硬盘主控芯片采用纳能PHY IP完成测试并进入量产

2018年6月,成都纳能微电子与国内某知名存储产品制造商,合作完成了第一款国内自主研发的USB3.1 typeC + PCIE Gen3的固态硬盘主控芯片的开发。成都纳能为客户提供了该芯片的全套IP解决方案,包括USB3.1/3.0 typeC  PHY, USB2.0 PHY , PCIE Gen3 PHY, SATA Gen3 PHY, 5V-1.2V DC-DC,3.3V-1.2V LDO,及300MHz 低温漂RC OSC等IP,目前该芯片已经通过ESD测试,可靠性测试及burn-in测试,并在市面90余种主流主板,硬盘,外设等设备完成兼容性测试。目前,该产品已经进入量产。

Cadence亚太区高管一行来访

2017年12月22日,铿腾电子科技有限公司(Cadence)亚太区总裁石丰瑜先生等一行莅临成都纳能微电子进行访问,Cadence是全球最大的电子设计技术(Electronic Design Technologies)、程序方案服务, IP及设计服务供应商。石总裁详细调研了解了成都纳能微电子近期设计研发情况,并探讨了在IP开发方面合作的可能性。

VByOne PHY IP核完成量产,助力国产智能电视主控芯片

2017年6月,成都纳能为国内某知名芯片设计公司在SMIC40nm工艺完成VByOne PHY IP核开发并完成量产,该IP完全符合VByOne HS 标准,可完成数据率范围500Mbps – 4Gbps 内的图像数据宽范围传输,并经测试达到6000V HBM及6000V IEC的ESD 指标。目前该IP已经应用于第一颗国产智能电视主控芯片中并完成百万级的量产记录。

日本三重富士通市场总监一行访问成都纳能微电子

2017年4月22日,日本三重富士通市场总监外山弘毅及同事一行访问成都纳能微电子,听取纳能技术团队背景介绍,调研了纳能IP列表,并就双方在IP领域合作开发进行了讨论。

三重富士通半导体股份有限公司作为一家以日本为基地专业生产半导体的厂家,能为客户提供永久性的价值服务,目前三重富士通拥有日本最大规模的逻辑控制器制造能力。

USB3.1 Gen2 PHY IP通过一致性测试

2017年3月,成都纳能微电子与台湾一家上市公司合作,在55nmGP工艺完成了USB3.1 type-C PHY IP 开发与生产,该IP支持USB type-C 正反可插,最高数据率为10Gbps, 并可向下兼容USB3.0 5Gbps 模式。目前该IP已经通过USB3.1 Gen2 一致性测试,完全符合USB 3.1 电气特性指标。

成都纳能微电子在天府(四川)联合股权交易中心完成双创企业挂牌

2017年2月,成都纳能微电子在天府(四川)联合股权交易中心完成双创企业挂牌。 天府(四川)联合股权交易中心是经四川省人民政府和西藏自治区人民政府批准,由川藏两省、区政府共建,得到深圳证券交易所大力支持的,全国唯一一家跨省区的区域性股权交易场所。交易中心定位于为实体经济服务,为中小企业融资服务,为企业提供直接融资平台解决中小微企业“融资难、融资贵”的问题;是有效聚集社会资本,促进股权合理流转,实现资源优化配置的公益优先的“四板”平台。

完成JESD204B PHY IP验证

2016年10月,成都纳能微电子在65nm工艺节点,支持客户完成多通道JESD204B PHY的量产验证,该IP为2通道flip chip 设计,最高传输总带宽可达到20Gbps, 并支持不同ADC/DAC 模组应用, 可支持确定性延迟等所有204B 协议特征。