2018年6月，成都纳能微电子与国内某知名存储产品制造商，合作完成了第一款国内自主研发的USB3.1 typeC + PCIE Gen3的固态硬盘主控芯片的开发。成都纳能为客户提供了该芯片的全套IP解决方案，包括USB3.1/3.0 typeC PHY， USB2.0 PHY , PCIE Gen3 PHY, SATA Gen3 PHY, 5V-1.2V DC-DC，3.3V-1.2V LDO，及300MHz 低温漂RC OSC等IP，目前该芯片已经通过ESD测试，可靠性测试及burn-in测试，并在市面90余种主流主板，硬盘，外设等设备完成兼容性测试。目前，该产品已经进入量产。
Cadence亚太区高管一行来访
2017年12月22日，铿腾电子科技有限公司（Cadence）亚太区总裁石丰瑜先生等一行莅临成都纳能微电子进行访问，Cadence是全球最大的电子设计技术(Electronic Design Technologies)、程序方案服务, IP及设计服务供应商。石总裁详细调研了解了成都纳能微电子近期设计研发情况，并探讨了在IP开发方面合作的可能性。
GVI PHY IP核完成量产，助力国产智能电视主控芯片
2017年6月，成都纳能为国内某知名芯片设计公司在SMIC40nm工艺完成GVI PHY IP核开发并完成量产，该IP完全符合通用视频接口标准，可完成数据率范围500Mbps – 4Gbps 内的图像数据宽范围传输，并经测试达到6000V HBM及6000V IEC的ESD 指标。目前该IP已经应用于第一颗国产智能电视主控芯片中并完成百万级的量产记录。
日本三重富士通市场总监一行访问成都纳能微电子
2017年4月22日，日本三重富士通市场总监外山弘毅及同事一行访问成都纳能微电子，听取纳能技术团队背景介绍，调研了纳能IP列表，并就双方在IP领域合作开发进行了讨论。
三重富士通半导体股份有限公司作为一家以日本为基地专业生产半导体的厂家，能为客户提供永久性的价值服务，目前三重富士通拥有日本最大规模的逻辑控制器制造能力。
USB3.1 Gen2 PHY IP通过一致性测试
2017年3月，成都纳能微电子与台湾一家上市公司合作，在55nmGP工艺完成了USB3.1 type-C PHY IP 开发与生产，该IP支持USB type-C 正反可插，最高数据率为10Gbps, 并可向下兼容USB3.0 5Gbps 模式。目前该IP已经通过USB3.1 Gen2 一致性测试，完全符合USB 3.1 电气特性指标。
完成JESD204B PHY IP验证
2016年10月，成都纳能微电子在65nm工艺节点，支持客户完成多通道JESD204B PHY的量产验证，该IP为2通道flip chip 设计，最高传输总带宽可达到20Gbps, 并支持不同ADC/DAC 模组应用, 可支持确定性延迟等所有204B 协议特征。
成都纳能微电子在天府（四川）联合股权交易中心完成双创企业挂牌
2017年2月，成都纳能微电子在天府（四川）联合股权交易中心完成双创企业挂牌。 天府（四川）联合股权交易中心是经四川省人民政府和西藏自治区人民政府批准，由川藏两省、区政府共建，得到深圳证券交易所大力支持的，全国唯一一家跨省区的区域性股权交易场所。交易中心定位于为实体经济服务，为中小企业融资服务，为企业提供直接融资平台解决中小微企业“融资难、融资贵”的问题；是有效聚集社会资本，促进股权合理流转，实现资源优化配置的公益优先的“四板”平台。